特許
J-GLOBAL ID:200903077644261539

レジストパターンの寸法制御方法及び加熱処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-234886
公開番号(公開出願番号):特開平11-072927
出願日: 1997年08月29日
公開日(公表日): 1999年03月16日
要約:
【要約】【課題】化学増幅型レジストの寸法制御性を向上させる。【解決手段】表面に塗布された化学増幅型レジストに所定パターンが露光された基体を加熱し、レジスト中の酸を触媒とする反応を起こさせるPEB処理を行う工程と(ステップS1)、PEB処理中の基体の表面に対して、化学増幅型レジストが感光しない波長の光の照射及び走査を行い(ステップS2)、反射光の強度分布を測定する強度分布測定工程と(ステップS3)、測定された強度分布から、反応が生じた部分、又は未反応の部分の少なくとも一方の寸法を検出する工程と(ステップS4)、検出された寸法と設定寸法とを比較する工程と(ステップS5)、ステップS5において、検出された寸法と設定寸法が異なる場合、ステップS2に戻る工程と、ステップS5において、検出された寸法と設定寸法とが等しい場合、前記PEB処理を終了する工程と(ステップS6)を含む。
請求項(抜粋):
表面に塗布された化学増幅型レジストに所定パターンが露光された基体を加熱し、該レジスト中の酸を触媒とする反応を起こさせるPEB処理を行う工程と、前記PEB処理中の基体の表面に対して、前記化学増幅型レジストが感光しない波長の光の照射及び走査を一定周期で繰り返し行うと共に、該基体表面からの反射光の強度分布を順次測定する工程と、前記繰り返し毎に順次測定される強度分布から、前記反応が生じた部分、又は未反応の部分の少なくとも一方の寸法を検出する工程と、前記繰り返し毎に検出される寸法と設定寸法とを比較し、検出寸法が設定寸法と等しくなる時点で、前記PEB処理を終了する工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの寸法制御方法。
IPC (3件):
G03F 7/26 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511
FI (3件):
G03F 7/26 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511
引用特許:
審査官引用 (3件)

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