特許
J-GLOBAL ID：200903077675635879
磁気半導体記憶装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-345530
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179489
出願日： 2002年11月28日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】従来のトンネル磁気抵抗を利用した、所謂MRAMのメモリセルは、書き込みワード線がTMRから離れて配置されていたために、本質的にTMR素子に印加される磁場が弱く、書き込み時に大電流を必要とし、消費電力が大きいという問題があった。【解決手段】上記課題を解決すべく、本発明では書き込みワード線がTMR素子に近接し、しかも、3方向から覆うMRAMメモリセル構造及びその製造方法を提供する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に、互いに平行に配置された第1および第2のワード線と、
絶縁層を介して、前記第1および第2のワード線に交差するビット線と、
前記第1のワード線と前記ビット線との間に配置されたトランジスタおよび前記第2のワード線と前記ビット線との間に配置された磁気抵抗素子とを有するメモリセルとを備え、
前記磁気抵抗素子は、前記半導体基板上に形成された複数の積層膜がパターンニングされて柱状の形状をなし、その少なくとも側面が絶縁層を介して前記第2のワード線で覆われていることを特徴とする磁気半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L27/105
, G11C11/15
, H01L43/08
H01L27/10 447
, G11C11/15 110
, H01L43/08 Z
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA36
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA53
, 5F083KA01
, 5F083MA06
, 5F083MA19
, 5F083PR40
