半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-149103
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340893
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 p型クラッド層のドーピング制御の安定化と実用的な信頼性とを両立した化合物半導体レーザ素子を製造する。【解決手段】 n型クラッド層、n型電流ブロック層の少なくとも一方はIV族元素とVI族元素を同時に添加した層を用いる。

請求項（抜粋）：

少なくとも、n型不純物ドープ層、活性層、p型不純物ドープ層を備えたIII-V族化合物半導体からなる半導体レーザ素子であって、前記n型不純物ドープ層は、その不純物として、IV族元素とVI族元素とを共に添加してなることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/323 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01S 3/18 673 , H01L 21/205

Fターム (17件)：

5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC19 , 5F045AD11 , 5F045AF04 , 5F045BB08 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045EB08 , 5F073BA05 , 5F073CA05 , 5F073CB19 , 5F073DA11 , 5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-010486
特開平4-030589
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-224149 出願人：シャープ株式会社

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