特許
J-GLOBAL ID：200903077708795990

半導体製造条件設定方法、半導体製造条件設定装置、この装置を用いた半導体製造装置、及びこの半導体製造装置により製造された半導体基板

発明者：
吉田 治正

吉田 治正 について


出願人/特許権者：
浜松ホトニクス株式会社

浜松ホトニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184641
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021854
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体のプラズマプロセスを安定な状態で行える半導体製造条件設定方法、装置、半導体製造装置、及び半導体基板を提供すること。【解決手段】 プラズマ光を分光する分光手段28と、プラズマ光の各波長成分の強度を電気信号に変換する光検出手段30と、電気信号に基づいてプラズマ光の各波長の発光強度を算出する発光強度算出手段35と、二以上の対応波長を選択する対応波長選択手段35と、パラメータと各対応波長の発光強度との関係である基準発光データを作成する基準発光データ作成手段35と、許容発光範囲を決定する許容発光範囲決定手段35と、被処理基板7の処理中に得られる処理中発光強度を算出する処理中発光強度算出手段35と、処理中発光強度に応じた候補パラメータを選定する候補選定手段35とを備えることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
チャンバ内に発生させたプラズマを使用して被処理基板に処理を施す半導体製造工程の製造条件を設定する方法であって、前記プラズマの発光を分光する工程と、分光された前記プラズマ光の各波長の発光強度を算出する工程と、前記製造条件である複数のパラメータの値を増減変化させたときに当該パラメータの増減変化に伴って前記発光強度が変化する前記各波長の中から、少なくとも二以上の波長を対応波長として前記各パラメータごとに選択する工程と、前記パラメータの値と、前記各対応波長の前記発光強度に基づく値との関係を示す基準発光データを前記各パラメータごとに作成する工程と、前記パラメータの許容範囲に対応した、前記各対応波長の前記発光強度に基づく範囲である許容発光範囲を前記各パラメータごとに決定する工程と、前記被処理基板に前記処理を施す際に得られる前記プラズマ光の前記各対応波長の発光強度である処理中発光強度を算出する工程と、前記基準発光データに基づいて、前記処理中発光強度に応じた候補パラメータを前記各パラメータの中から選定する工程と、前記処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲を越えたときに、当該処理中発光強度に基づく値が前記許容発光範囲内になるまで前記候補パラメータの値を調整する工程と、を備えることを特徴とする半導体製造条件設定方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/302 E ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205
Fターム (28件)：
5F004BA04 ,  5F004BB07 ,  5F004BB26 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA23 ,  5F004DB03 ,  5F045AA08 ,  5F045AE01 ,  5F045DP04 ,  5F045EH13 ,  5F045EH16 ,  5F045EK07 ,  5F045GB08 ,  5F045HA13 ,  5F103AA01 ,  5F103AA08 ,  5F103DD27 ,  5F103HH03 ,  5F103RR04
引用特許：
審査官引用 (5件)
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