特許
J-GLOBAL ID：200903077741492260
半導体基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153928
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 高速動作に適したSi/SiGeヘテロ構造とSOI構造とを兼ね備え、更にSiGe層に転位が発生するのを可及的に防止することを可能にする。【構成】 シリコン基板11と、このシリコン基板上に形成された、シリコンによりも熱膨張係数の小さい材料からなる絶縁膜14と、この絶縁膜上に形成されて前記シリコン基板よりも厚さが薄いシリコン層12と、このシリコン層上にヘテロエピタキシャル成長によって形成したSiGe層16と、を備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコン基板と、このシリコン基板上に形成された、シリコンよりも熱膨脹係数の小さい材料からなる絶縁膜と、この絶縁膜上に形成されて前記シリコン基板よりも厚さが薄いシリコン層と、このシリコン層上にヘテロエピタキシャル成長によって形成したSiGe層とを備えていることを特徴とする半導体基板。
IPC (5件)：
H01L 27/12
, H01L 21/762
, H01L 29/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/76 D
, H01L 29/205
, H01L 29/72
