特許

J-GLOBAL ID：200903077748118207

集積回路装置及びニューロ素子

発明者： 田尻 雅之 ,  粟屋 信義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089796
公開番号（公開出願番号）：特開2003-283003
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 パルス電圧の印加累積回数に応じて重み付け係数を変化させることにより、人間の神経細胞により近いニューロ素子を提供する。【解決手段】 常温でパルス電圧の印加累積回数に応じて抵抗値を変化させ、この抵抗値を不揮発的に保持するマンガンを含有するペロブスカイト構造の酸化物薄膜の可変抵抗器11-1〜11-nによる重み付け手段により入力信号を重み付けし、この重み付けされた信号を演算部12へ入力する。可変抵抗器11-1〜11-nとして使用される酸化物薄膜は、入力パルスの累積印加回数に応じて抵抗値が変化し、更に電源が遮断された後も抵抗値を不揮発的に保持する。

請求項（抜粋）：

パルス電圧の累積印加回数に応じて抵抗値を変化させると共に、抵抗値を不揮発的に保持する物質にて作成された可変抵抗器と、該可変抵抗器によって変換された入力信号に基づいて演算を行い、演算結果が所定値を越えた場合に所定の出力信号を出力する演算手段とを備えたことを特徴とする集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 49/00 ,  H01L 27/10 451

FI (2件)：

H01L 49/00 Z ,  H01L 27/10 451

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA45 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 自己学習型積和演算回路素子及び回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-224111   出願人：東京工業大学長
• ニューロ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-174558   出願人：ローム株式会社
• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-055951   出願人：三菱化学株式会社
• 強誘電体FET素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-073857   出願人：三菱化学株式会社