特許

J-GLOBAL ID：200903077759742875

半導体素子及び半導体素子の製造方法

発明者： 八木 茂 ,  鈴木 星児 ,  岩永 剛
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032018
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232256
出願日： 1999年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：

【要約】【課題】 透明導電膜の透明性を損なわずに、該透明導電膜上に半導体膜が積層された光入出力用の高品質な半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成された透明導電膜を有する半導体素子において、透明導電膜と半導体層との間に、III族元素と窒素とを含む化合物からなる還元防止層を設ける。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された透明導電膜と、該透明導電膜上に形成されたIII族元素と窒素とを含む化合物からなる還元防止層と、を有する半導体素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (34件)：

5F041AA31 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA08 ,  5F045AA09 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF07 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA68 ,  5F045EH18 ,  5F073AA51 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光電変換素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202405   出願人：三井東圧化学株式会社
• 非晶質太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-202406   出願人：三井東圧化学株式会社
• 非晶質材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-233981   出願人：富士ゼロックス株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Highly resistive CH-doped GaN grown by plasma-assisted metalorganic chemical vapor deposition