半導体集積回路装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-131100
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324158
出願日： 2002年05月07日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】各機能モジュールの設計とは独立に基板制御設計可能な基板バイアス制御方式を実現する。【解決手段】その外部とは独立に基板バイアス制御される領域を有し、その領域の周辺に基板バイアス供給を制御するためのスイッチを設ける。また、スタンバイモード、通常動作モード及び高速動作モードに応じた基板バイアスを切り換えるための3種類のスイッチを設ける。

請求項（抜粋）：

第1の基板電位と第2の基板電位とを発生するためのバイアス発生回路と、MOSトランジスタで構成される回路モジュールと、それぞれ上記第1の基板電位の供給を制御する第1MOSトランジスタと上記第2の基板電位の供給を制御する第2MOSトランジスタとを含む複数の基板バイアススイッチ回路と、上記基板バイアススイッチ回路を制御するスイッチ制御回路とを有し、上記回路モジュールが配置される第1領域の少なくとも一辺に接する第2領域に、上記複数の基板バイアススイッチ回路が配置され、上記回路モジュールが第1状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第1MOSトランジスタをオン状態として上記第1の基板電位を上記回路モジュールのMOSトランジスタのウェルに供給し、上記回路モジュールが第2状態である場合には、上記スイッチ制御回路は上記複数の基板バイアススイッチ回路の上記第2MOSトランジスタをオン状態として上記第2の基板電位を上記回路モジュールのMOSトランジスタのウェルに供給することにより、上記第1領域に配置された上記回路モジュールのMOSトランジスタの基板バイアスを上記第1領域外とは独立に制御する半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/822 , H01L 27/04 , H03K 19/094

FI (3件)：

H01L 27/04 G , H01L 27/04 F , H03K 19/094 D

Fターム (16件)：

5F038BG09 , 5F038CD15 , 5F038DF07 , 5F038DF08 , 5F038DF16 , 5F038EZ20 , 5J056AA03 , 5J056BB02 , 5J056BB17 , 5J056CC00 , 5J056DD13 , 5J056DD28 , 5J056DD29 , 5J056DD43 , 5J056GG06 , 5J056KK02

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-071806 出願人：三菱電機株式会社
特開昭59-111343
半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-255317 出願人：株式会社日立製作所

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