特許
J-GLOBAL ID：200903077779338086

絶縁膜および絶縁膜形成用塗布液

発明者：
山田 紀子

山田 紀子 について

, 
片山 真吾

片山 真吾 について

, 
吉永 郁子

吉永 郁子 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-263155
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102003
出願日： 1996年10月03日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、金属配線上に直接形成可能な、絶縁抵抗が高く比誘電率の低い、半導体装置用層間絶縁膜を提供するものである。【解決手段】 M-O-M結合(MはB,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)を有する無機ポリマー骨格中のMの一部をSi(R1)n -(R1 はアルキル基、n=1〜3)で置換した絶縁膜とする。この絶縁膜はSiに結合しているアルキル基のために低誘電率である。また、B,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素の金属アルコキシドは反応性が高く、アルキルアルコキシシランの重縮合反応を促進するので、形成された膜に残存するシラノール基を著しく低減させ、高い絶縁性を確保できる。
請求項（抜粋）：
M-O-M結合(MはB,Al,Ti,Ge,Y,Zr,Nb,Taの中から選ばれた少なくとも1種類以上の元素)を有する無機ポリマー骨格中のMの一部をSi(R1)n -(R1 はアルキル基、n=1〜3)で置換した絶縁膜。
IPC (6件)：
C09D185/00 ,  C08G 77/398 ,  C08G 79/00 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (6件)：
C09D185/00 ,  C08G 77/398 ,  C08G 79/00 ,  C09D183/08 ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 S
引用特許：
審査官引用 (5件)
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