特許
J-GLOBAL ID：200903077806853648

露光方法

発明者：
辻田 好一郎

辻田 好一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-386703
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150450
出願日： 2003年11月17日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】 レジスト膜と水との化学的相互作用を防ぎ、レジスト膜本来の解像性を得ることができる露光方法を得る。【解決手段】 被加工基体であるSi基板11上に反射防止膜12を形成し、反射防止膜12上にレジスト膜13を形成し、レジスト膜13上に疎水性の上層膜14を形成する。そして、露光機のレンズと上層膜14との間に液侵物質15を充填し、露光機から液侵物質15及び上層膜14を通してレジスト膜13に露光光を照射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被加工基体上にレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜上に疎水性の上層膜を形成する工程と、 露光機と前記上層膜との間に液侵物質を充填する工程と、 前記露光機から前記液侵物質及び前記上層膜を通して前記レジスト膜に露光光を照射する工程とを有することを特徴とする露光方法。
IPC (2件)：
H01L21/027 ,  G03F7/20
FI (3件)：
H01L21/30 515D ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 575
Fターム (7件)：
5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CB01 ,  5F046CB27 ,  5F046DA13 ,  5F046DD06 ,  5F046JA22
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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