特許
J-GLOBAL ID：200903077847794117

集積回路用の多孔質シリカ誘電体のための新規なポロジェン

発明者：
ルー,ビクター・ワイ

ルー,ビクター・ワイ について

, 
ラング,ロジャー・ワイ

ラング,ロジャー・ワイ について

, 
デン,エリック

デン,エリック について

, 
シエ,ソンユアン

シエ,ソンユアン について


出願人/特許権者：
ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド

ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド について


代理人 (6件)： 社本 一夫 ,  増井 忠弐 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  中村 義哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-585170
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522877
出願日： 2002年04月10日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
本発明は、ナノ多孔質誘電体フィルムの製造および半導体デバイス、およびこれら改良されたフィルムを含んでなる集積回路に関する。本発明のナノ多孔質フィルムは、ケイ素含有プレポリマーを使用して製造され、金属イオン不含有のオニウムまたは求核性触媒を用いて低下させたゲル化温度での架橋を可能にする工程により製造される。
請求項（抜粋）：
ナノ多孔質シリカ誘電体フィルムを製造する方法であって、 (a) ケイ素含有プレポリマー;オニウム化合物および求核性物質からなる群より選択される金属イオン不含有触媒;および該ケイ素含有プレポリマーに結合しないポロジェンを含んでなる組成物を調製すること; (b) 該組成物で基体をコーティングしてフィルムを形成すること; (c) 該組成物を架橋させてゲル化フィルムを生成すること;および (d) 該ゲル化フィルムを、実質的にすべての前記ポロジェンを除去するのに有効な温度および期間で加熱すること; を含んでなる製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/316 ,  H01L21/312
FI (2件)：
H01L21/316 G ,  H01L21/312 C
Fターム (14件)：
5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ02
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM