内部電源電位供給回路、昇圧電位発生システム、出力電位供給回路及び半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-147181
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027026
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】内部電源電位を精度良く供給することができる内部電源電位供給回路を得る。【解決手段】外部電源電位VCEはPMOSトランジスタQ1のソースに接続され、PMOSトランジスタQ1のドレインより内部電源電位VCIが負荷11に付与される。このPMOSトランジスタQ1のゲートにコンパレータ1から制御信号S1が与えられる。コンパレータ1は基準電位Vrefと分圧内部電源電位DCIとの比較結果に基づき制御信号S1を出力する。PMOSトランジスタQ1のドレインは抵抗R1の一端に接続され、抵抗R1の他端と接地レベルとの間に電流源2が設けられる。そして、抵抗R1の他端であるノードN1より得られる電圧が分圧内部電源電位DCIとしてコンパレータ1の正入力に与えられる。

請求項（抜粋）：

所定の負荷に内部電源電位を供給する内部電源電位供給回路であって、一端に外部電源電位を受け、制御信号に基づき、他端から内部電源電位を前記所定の負荷に付与する内部電源電位付与手段と、一端が前記内部電源電位付与手段の他端に接続される抵抗成分と、前記抵抗成分の他端と固定電位との間に所定の電流を供給する電流供給手段と、前記抵抗成分の他端より得られる分圧内部電源電位と基準電位とを受け、両者の比較結果に基づき、前記制御信号を出力する比較回路と、を備える内部電源電位供給回路。

IPC (6件)：

G05F 1/56 310 , G05F 3/24 , G11C 5/14 , G11C 11/413 , G11C 11/407 , G11C 16/06

FI (6件)：

G05F 1/56 310 D , G05F 3/24 Z , G11C 5/14 , G11C 11/34 335 A , G11C 11/34 354 F , G11C 17/00 309 D

引用特許：

審査官引用 (10件)

定電圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-277722 出願人：ミツミ電機株式会社
特開昭62-248015
特開平4-076713

全件表示

前のページに戻る