特許
J-GLOBAL ID:200903077879900814
積層圧電素子および積層圧電素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
岸田 正行 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-063211
公開番号(公開出願番号):特開平11-261122
出願日: 1998年03月13日
公開日(公表日): 1999年09月24日
要約:
【要約】【課題】 内部での導通不良の生じない積層圧電素子を提供する。【解決手段】電気-機械エネルギー変換機能を有する材料の層と電極材料の層(5,6)とを交互に複数重ねて積層すると共に、前記電極材料の層間を導通するための導電電極としてスルーホール(3,4)を用いた積層圧電素子において、前記スルーホールと前記電極材料の層との接合部には、前記スルーホールの周辺部での前記電極材料の層の厚さをそれ以外の部分の前記電極材料の層の厚さよりも厚くした補強用の電極材料(7)の層を設けた。
請求項(抜粋):
電気-機械エネルギー変換機能を有する材料の層と電極材料の層とを交互に複数重ねて積層すると共に、前記電極材料の層間を導通するための導電電極としてスルーホールを用いた積層圧電素子において、前記スルーホールと前記電極材料の層との接合部には、前記スルーホールの周辺部での前記電極材料の層の厚さをそれ以外の部分の前記電極材料の層の厚さよりも厚くした補強用の電極材料の層を設けたことを特徴とする積層圧電素子。
IPC (3件):
H01L 41/083
, H01L 41/22
, H02N 2/00
FI (3件):
H01L 41/08 Q
, H02N 2/00 Z
, H01L 41/22 Z
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭62-139371
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-362171
出願人:ソニー株式会社
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積層圧電体素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-315045
出願人:松下電器産業株式会社
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