シリコン材料のエッチング方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：石原詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-141011
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343013
出願日： 2003年05月19日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：

【課題】シリコン材料からなる薄膜や基板のエッチングを、極めて簡便な手法により精度よく実現することができるようにしたシリコン材料のエッチング方法を提供する。【解決手段】(a)シリコン材料の表面にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、(b)酸化膜形成後リンス工程と、(c)該酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、(d)酸化膜除去後リンス工程と、によって1回目のエッチング処理を行うエッチングサイクルを構成し、2回目以降のエッチング処理を行うエッチングサイクル(a)(b)(c)(d)を実施する場合には(d)酸化膜除去後リンス工程を経たシリコン材料を(a)酸化膜形成工程におけるシリコン材料として用いるようにしたシリコン材料のエッチング方法であって、前記エッチングサイクル(a)(b)(c)(d)を1回以上繰り返すことにより、前記シリコン材料の厚さを所定の厚さまで減ずるようにした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(a)シリコン材料を酸化膜形成水溶液に浸漬することにより該シリコン材料の表面にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、 (b)該表面にシリコン酸化膜が形成されたシリコン材料を純水にてリンスする酸化膜形成後リンス工程と、 (c)該表面にシリコン酸化膜が形成されかつリンスされたシリコン材料を酸化膜除去水溶液に浸漬することにより該酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、 (d)該酸化膜が除去されたシリコン材料を純水にてリンスする酸化膜除去後リンス工程と、によって1回目のエッチング処理を行うエッチングサイクルを構成し、2回目以降のエッチング処理を行うエッチングサイクル(a)(b)(c)(d)を実施する場合には(d)酸化膜除去後リンス工程を経たシリコン材料を(a)酸化膜形成工程におけるシリコン材料として用いるようにしたシリコン材料のエッチング方法であって、前記エッチングサイクル(a)(b)(c)(d)を1回以上繰り返すことにより、前記シリコン材料の厚さを所定の厚さまで減ずることを特徴とするシリコン材料のエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/306

FI (1件)：

H01L21/306 B

Fターム (6件)：

5F043AA02 , 5F043AA31 , 5F043BB22 , 5F043DD02 , 5F043FF07 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-107545
特開平1-107545
ポーラスシリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-178681 出願人：富士通株式会社

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