温度補償RRAM回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-066445
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273110
出願日： 2004年03月09日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】 RRAM用の簡略な読み出し回路を提供して、動作温度に関わらず読み出し出力を正確にすること。【解決手段】温度変化に対するRRAM読み出し可能性を向上させる温度補償RRAMセンシング回路が開示される。回路は、温度補償回路の応答を制御して、メモリ抵抗器の抵抗状態の温度変化を補償する温度依存性信号を生成する温度依存性素子を含む。温度依存性素子は、メモリ抵抗器に供給されるセンシング信号を制御して、メモリ抵抗器の抵抗状態が温度変化に対して補償されるようにし得る。温度依存性素子は、比較回路に供給される基準信号を制御して、比較回路によって提供された出力信号が温度変化に対して補償されるようにし得る。温度依存性素子は、好ましくは、メモリ抵抗器と同じ材料およびプロセスから製造され得る。【選択図】図10

請求項（抜粋）：

温度の変化に対して読み出し可能性を向上させる温度補償RRAMセンシング回路であって、該回路は、 a)温度依存性メモリ抵抗器アレイと、 b)温度依存性素子と、 c)該温度依存性素子と通信し、少なくとも1つの温度依存性出力信号を該温度依存性メモリ抵抗器に提供して、該メモリ抵抗器の抵抗の温度変化を補償する、温度補償制御回路とを含む、温度補償RRAMセンシング回路。

IPC (2件)：

G11C13/00 , H01L27/10

FI (3件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 451 , H01L27/10 481

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA60 , 5F083LA10

引用特許：

出願人引用 (19件)

米国特許第6,169,686号
米国特許第5,787,042号
米国特許第5,883,827号

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審査官引用 (5件)

読取専用記憶装置の温度補償のための方法と装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-401269 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
特許第6473332号
電気的にプログラム可能な抵抗特性を有する、クロストークが低いクロスポイントメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-152419 出願人：シャープ株式会社

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