特許
J-GLOBAL ID:200903059647836623
タングステンシリサイドターゲット材およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-201398
公開番号(公開出願番号):特開平8-049068
出願日: 1994年08月03日
公開日(公表日): 1996年02月20日
要約:
【要約】【目的】 パーティクルの発生を低減できるターゲット材およびその製造方法を提供する。【構成】 本発明は相対密度が101%以上であり、シリコンとタングステンの原子比Si/Wが2を超えることを特徴とするタングステンシリサイドターゲット材である。本発明のターゲット材は、仮焼体を粉砕して得られた粉砕粉を1200°C〜1400°C、110MPa以上で焼結することにより得ることができる。
請求項(抜粋):
ターゲット材が化学量論的なタングステンシリサイドWSi2および純シリコンSiで構成されると仮定して計算された理論密度に対するターゲット材の真密度の比である相対密度が101%以上であり、シリコンとタングステンの原子比Si/Wが2を超えることを特徴とするタングステンシリサイドターゲット材。
IPC (3件):
C23C 14/34
, C04B 35/58 106
, H01L 21/203
引用特許:
出願人引用 (9件)
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特開平2-247379
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特開平4-191366
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シリサイドターゲツトの製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-329692
出願人:東ソー株式会社
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