特許
J-GLOBAL ID：200903077942606204

薄膜ガスセンサ

発明者：
鈴木 卓弥

鈴木 卓弥 について

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小林 光男

小林 光男 について

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国原 健二

国原 健二 について

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吉田 誠

吉田 誠 について

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岡村 誠

岡村 誠 について

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田畑 総一

田畑 総一 について

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檜垣 勝己

檜垣 勝己 について

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大西 久男

大西 久男 について

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橋本 猛

橋本 猛 について


出願人/特許権者：
富士電機機器制御株式会社

富士電機機器制御株式会社 について

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大阪瓦斯株式会社

大阪瓦斯株式会社 について


代理人 (5件)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  佐藤 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368182
公開番号（公開出願番号）：特開2005-134165
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】 ダイヤフラム構造で高断熱・低熱容量を有し、かつ、優れたガス選択性を有する薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 ダイヤフラム様の支持基板上に、感知第1層としてSnO2層またはドナーとなる+5価ないし+6価の元素を添加したSnO2層を設け、さらにその上に感知第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔を置いて1対の金属からなる感知電極層を設けるとともに、該ガス感知層をなす感知第2層の外周部が、該感知第1層の外周部よりも全て外側に設置されている薄膜ガスセンサとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒータを形成し、この薄膜のヒータ層を電気絶縁膜で覆い、その上に感知第1層としてSnO2層またはドナーとなる+5価ないし+6価の元素を添加したSnO2層を設け、さらにその上に感知第2層として触媒となる元素を添加したSnO2層を積層した2層構造のガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔を置いて1対の金属からなる感知電極層を設けてなる薄膜ガスセンサであって、該ガス感知層をなす感知第2層の外周部が、該感知第1層の外周部よりも全て外側に設置されていることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
IPC (2件)：
G01N27/12 ,  G01N27/16
FI (4件)：
G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/12 M ,  G01N27/16 B
Fターム (64件)：
2G046AA11 ,  2G046BA01 ,  2G046BA04 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BD02 ,  2G046BD05 ,  2G046BD06 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046BF02 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DC13 ,  2G046DD01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046EA12 ,  2G046FB02 ,  2G046FE00 ,  2G046FE03 ,  2G046FE10 ,  2G046FE12 ,  2G046FE16 ,  2G046FE25 ,  2G046FE26 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE34 ,  2G046FE35 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44 ,  2G046FE46 ,  2G046FE48 ,  2G060AA01 ,  2G060AB08 ,  2G060AE19 ,  2G060AF02 ,  2G060AF07 ,  2G060AG10 ,  2G060AG15 ,  2G060BA01 ,  2G060BB02 ,  2G060BB09 ,  2G060BB12 ,  2G060BB14 ,  2G060BB18 ,  2G060HA01 ,  2G060HB05 ,  2G060HB06 ,  2G060HC06 ,  2G060HC18 ,  2G060HD03 ,  2G060HE02 ,  2G060JA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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