多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087067
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292642
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、優れた誘電特性及び機械的特性有する多孔質膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】一般式 R1nSi(OR2)4-nで示されるシラン化合物を、一般式R3mSi(OH)k(OX)4-k-mで示されるケイ酸化合物の存在下で加水分解縮合させて得られる縮合物を含有する塗布液で、半導体製造プロセスに適用可能な機械的強度及び誘電特性をもつ多孔質絶縁膜の製造が可能になった。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1) R1nSi(OR2)4-n (1) (上式中、R1は炭素数1〜8の有機基を表し、R1が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、R2は炭素数1〜4のアルキル基を表し、R2が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、nは0〜3の整数である。) で表されるシラン化合物の一種以上を、一般式(2)で表されるケイ酸化合物 R3mSi(OH)k(OX)4-k-m (2) (上式中、R3は炭素数1〜8の有機基を表し、R3が複数含まれる場合には、各々独立して互いに同じでも異なってもよく、Xは四級アンモニウムを表し、kは0〜3の整数、mは0〜3の整数であり、m+k≦3を満足する。) の存在下で加水分解縮合して得られる縮合物及び有機溶媒を含有することを特徴とする多孔質膜形成用組成物。

IPC (6件)：

C09D183/04 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , H01L21/312

FI (6件)：

C09D183/04 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , H01L21/312 C

Fターム (58件)：

4J002CP031 , 4J002GQ01 , 4J002HA08 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038DL081 , 4J038JA02 , 4J038JA03 , 4J038JA19 , 4J038JA26 , 4J038JA33 , 4J038JA56 , 4J038JA61 , 4J038JA62 , 4J038JB13 , 4J038JC08 , 4J038JC11 , 4J038JC18 , 4J038JC36 , 4J038KA06 , 4J038MA04 , 4J038MA07 , 4J038NA01 , 4J038NA07 , 4J038NA11 , 4J038NA12 , 4J038NA21 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC02 , 4J246AB01 , 4J246AB11 , 4J246BA03X , 4J246BA270 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA230 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA400 , 4J246FA011 , 4J246FB272 , 4J246GB01 , 4J246GB04 , 4J246GC53 , 4J246GD08 , 4J246HA22 , 4J246HA63 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC04 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (5件)

層間絶縁膜製造用塗布組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-050160 出願人：旭化成株式会社
膜形成用組成物、膜形成用組成物の製造方法、膜の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-086896 出願人：ジェイエスアール株式会社
多孔質膜形成用組成物、多孔質膜とその製造方法、層間絶縁膜及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329128 出願人：信越化学工業株式会社, 松下電器産業株式会社

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