特許

J-GLOBAL ID：200903077984792130

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 三村 高志
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-282235
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100403
出願日： 2004年09月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】 金属ゲート電極、金属ソース領域および金属ドレイン領域を備え、電流駆動能力を高めた電界効果型トランジスタおよびその製造方法を提供することである。【解決手段】 ソース領域26、ドレイン領域28、およびゲート電極31n、31pをシリサイド等の金属材料により構成し、nチャネルMISFET24nでは、ゲート電極31nの仕事関数Wgとソース領域26の仕事関数Wsとの関係がWg<Wsであり、pチャネルMISFET24nでは、ゲート電極31pの仕事関数Wgとソース領域26の仕事関数Wsとの関係がWg>Wsであるように金属材料を選択する。【効果】 ソース領域26とチャネル領域29との界面のバリア高さが低下し、チャネル領域29のキャリア濃度が向上し電流駆動能力が向上する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

半導体材料からなるチャネル領域と、チャネル領域を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を覆うゲート電極と、 前記チャネル領域の両側にそれぞれ直接接触し、金属材料からなるソース領域およびドレイン領域と、を備えるnチャネルの電界効果型トランジスタであって、 前記ゲート電極の金属材料の仕事関数Wgとソース領域の金属材料の仕事関数Wsとの関係がWg<Wsであることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (8件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (11件)：

H01L29/78 301S ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301B ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616S ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 616V

Fターム (149件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD63 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BD09 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BG13 ,  5F048DA23 ,  5F110AA01 ,  5F110AA07 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD22 ,  5F110DD24 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110EE48 ,  5F110EE50 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HK42 ,  5F110HK50 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA05 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA17 ,  5F140BB18 ,  5F140BC05 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF08 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG32 ,  5F140BG38 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-306457   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199590   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

• 特開昭55-015263
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-174567   出願人：株式会社東芝