特許
J-GLOBAL ID：200903078050873280

半導体発光素子

発明者：
尺田 幸男

尺田 幸男 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-235014
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097470
出願日： 1994年09月29日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 基板と接する半導体層であるバッファ層での結晶欠陥や転位の増加を防止することにより発光に寄与する半導体層での結晶欠陥や転位の発生を抑制し、信頼性の向上した寿命の長い発光素子を提供する。【構成】 基板1上にバッファ層2、3を介して少なくともn型層4およびp型層6を含み発光部(活性層)5を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層で形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を介して少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなる半導体発光素子であって、前記バッファ層の少なくとも前記基板側が電流の流れにくい半導体層である半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM