特許
J-GLOBAL ID：200903078078257800
多層配線基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-042523
公開番号（公開出願番号）：特開平9-237972
出願日： 1996年02月29日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：
【要約】【課題】従来、有機樹脂と無機質フィラーとの複合材料からなる絶縁層を有する配線基板では、絶縁層と半導体素子との熱膨張係数が大きく異なり、半導体素子の搭載状態が劣化する等、耐久性に欠ける等の問題があった。【解決手段】無機質フィラーと有機樹脂とを均一に混合した複合材料よりなる絶縁層2と低抵抗金属からなる導体回路3とが多層に積層されてなる多層配線基板1であって、最外層の絶縁層4の熱膨張係数を内部の絶縁層5の熱膨張係数よりも小さくする。例えば、最外層の絶縁層4中の低熱膨張の無機質フィラー含有量を内部の絶縁層5中のそれよりも多くし、望ましくは、最外層の室温〜250°Cにおける熱膨張係数を10〜60×10-6/°C、内部の絶縁層を30〜100×10-6/°Cに制御し、また、最外層の絶縁層4の上面に半導体素子を搭載させる。
請求項（抜粋）：
無機質フィラーと有機樹脂との複合材料からなる絶縁層と、低抵抗金属からなる導体回路とが多層に積層された多層配線基板であって、最外層の絶縁層の熱膨張係数が内部の絶縁層の熱膨張係数よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
FI (2件)：
H05K 3/46 T
, H05K 3/46 N
