特許
J-GLOBAL ID:200903078085879280
排ガスの処理装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-019332
公開番号(公開出願番号):特開2007-196160
出願日: 2006年01月27日
公開日(公表日): 2007年08月09日
要約:
【課題】半導体製造装置等のガス使用設備から排出される排ガス中のハロゲン含有化合物などの被除去化合物をプラズマ処理などの処理によって除去する際に、排ガス中に含まれる被除去化合物の種類、濃度などが変動しても、排ガス中に含まれるハロゲン含有化合物などの被除去化合物を完全に除去できるようにする。【解決手段】ガス使用設備1にガス供給装置2から供給されるガスの種類、流量および供給時間が入力され、これらパラメータに基づいて、排ガスに添加する添加ガスの種類、流量および添加時間とプラズマ処理における印加電力とを算出する演算処理部35と、この演算処理部35からの指示信号に基づいて前記添加ガスの種類、流量および添加時間を制御して添加する添加ガス供給部33と、前記演算処理部35からの指示信号に基づいて印加電力を制御して印加する電源部343を備えた排ガスの処理装置。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ガス使用設備から排出される排ガスに添加ガスを添加して、排ガス中の被除去化合物と添加ガスとを反応させて、除去する装置であって、
ガス使用設備に供給されるガスの種類、流量および供給時間が入力され、これらパラメータに基づいて、添加ガスの種類、流量および添加時間を算出する演算処理部と、この演算処理部からの指示信号に基づいて、添加ガスの種類、流量および添加時間を制御して添加する添加ガス供給部を備えたことを特徴とする排ガスの処理装置。
IPC (3件):
B01D 53/70
, B01D 53/34
, B01D 53/46
FI (3件):
B01D53/34 134E
, B01D53/34
, B01D53/34 120A
Fターム (10件):
4D002AA22
, 4D002AA26
, 4D002AC10
, 4D002BA07
, 4D002DA35
, 4D002DA54
, 4D002DA70
, 4D002GA03
, 4D002GB05
, 4D002GB20
引用特許: