特許
J-GLOBAL ID:200903078139536686

磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-128473
公開番号(公開出願番号):特開平11-328647
出願日: 1998年05月12日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】高記録密度化を実現する上で重要な低ノイズ特性を維持しつつ、過酷な耐摺動試験においても高い耐摺動信頼性確保できる磁気記録媒体とその製造方法を提供すること。【解決手段】基板と磁性層の間に、CoあるいはNiを主成分とし、かつCrとZrを同時に含む合金からなる第1の下地層を形成し、その上に粗い表面を有する第2の下地層を形成し、その上にNiを主成分とし、かつCrとZrを同時に含む合金からなる第3の下地層を形成し、さらにその上に結晶配向性を制御する膜として第4の下地層をこの順に形成した後、コバルトを主成分とする合金からなる磁性層と炭素を主成分とする保護膜を形成する。
請求項(抜粋):
基板と磁性層の間に、CoあるいはNiを主成分とし、かつ、Cr、Ti、V、Mo、Nbからなる第1の群から選ばれた少なくとも1種の元素と、Zr、Ta、Hf、Y、Wからなる第2の群から選ばれた少なくとも1種の元素を同時に含む合金からなる第1の下地層を形成し、その上に粗い表面を有する第2の下地層を形成し、その上にNiを主成分とし、かつ、Cr、Ti、V、Mo、Nbからなる第1の群から選ばれた少なくとも1種の元素と、Zr、Ta、Hf、Y、Wからなる第2の群から選ばれた少なくとも1種の元素を同時に含む合金からなる第3の下地層を形成し、さらにその上に結晶配向性を制御する膜として第4の下地層をこの順に形成したことを特徴とする磁気記録媒体。
IPC (2件):
G11B 5/66 ,  G11B 5/84
FI (2件):
G11B 5/66 ,  G11B 5/84 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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