特許

J-GLOBAL ID：200903078204278509

半導体製造装置の反応炉

発明者： 遠目塚 幸二 ,  佐藤 崇之 ,  開発 秀樹
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181850
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031756
出願日： 1994年07月11日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】半導体製造装置の反応炉に於いて、排気系での清掃作業を効率よく行える様にする。【構成】反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材14,22を設け、反応副生成物の除去清掃は、覆壁面材を取出し、該覆壁面材に対して実施する。

請求項（抜粋）：

反応副生成物が付着する領域に臨む面に着脱可能な覆壁面材を設けたことを特徴とする半導体製造装置の反応炉。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平2-002617
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-193028   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体製造装置及びその清掃方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-227206   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• 特開平2-183533
  
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-307917   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-002617
  
• 特開平2-183533