特許
J-GLOBAL ID：200903078236845600
高耐圧デバイスおよびその製造方法、不純物拡散領域の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-146704
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274390
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】低コストで、耐圧の安定化を図ることができる高耐圧デバイスおよびその製造方法とこの高耐圧デバイスに適用される不純物拡散領域の形成方法を提供すること。【解決手段】nシリコン基板71の表面層に、pベース領域87、nドレイン89、pオフセット領域83を形成し、pベース領域87の表面層にnソース領域と88とpコンタクト領域90を形成する。pオフセット領域83は、高い濃度と拡散深さの深い第1p領域83aと、中間の濃度と拡散深さの第2p領域83bと、低い濃度と拡散深さの浅い第3p領域83cで構成される。nソース領域88とnシリコン基板(またはpオフセット領域83)に挟まれたp領域87上にゲート絶縁膜91を介してゲート電極が形成される。ゲート電極92上とpオフセット領域83上に絶縁膜93を形成し、nソース領域88上、nドレイン領域89上にソース電極94、ドレイン電極95をそれぞれ形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1領域と、該第1領域の表面層に選択的に離して形成された第2導電型の第2領域および第1導電型の第3領域と、前記第2領域の表面層に選択的に形成された第1導電型の第4領域と、前記第2領域と前記第3領域に挟まれた第1領域の表面層に選択的に形成された第2導電型の第5領域と、該第5領域上に形成された第1絶縁膜と、第4領域と第1領域に挟まれた第2領域上にゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、第4領域上に形成される第1主電極と、第3領域上に形成される第2主電極とを有する高耐圧デバイスにおいて、前記第5領域が、前記第3領域から前記第2領域方向に濃度が異なる領域を有することを特徴とする高耐圧デバイス。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 301 D
5F040DA00
, 5F040DA22
, 5F040DC01
, 5F040EA00
, 5F040EB01
, 5F040EC07
, 5F040EC19
, 5F040EF18
, 5F040EK01
, 5F040EM00
, 5F040EM01
, 5F040EM02
, 5F040EM06
, 5F040FC16
, 5F040FC22
