特許
J-GLOBAL ID：200903078313472358

窒化物半導体の成長方法及びそれを用いた素子

発明者：
高曽根 徹

高曽根 徹 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077001
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280308
出願日： 2001年03月16日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 窒化物半導体の貫通転位を減らし、素子構造内、対向電極配置の素子構造に用いることができる窒化物半導体の成長方法を得る。【解決手段】 第1の窒化物半導体11表面に、選択的に第1の表面1と、該第1の表面1よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第2の表面2とを形成する工程と、該工程の後、第1の窒化物半導体11の第1の表面1及び第2の表面2に第2の窒化物半導体12を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする。これにより、第2の表面2からの成長が第1の表面1の成長に覆うように成長して、欠陥密度を低減させることができる。
請求項（抜粋）：
第1の窒化物半導体表面に、選択的に第1の表面と、該第1の表面よりも窒化物半導体の成長速度の大きい第2の表面とを形成する工程と、該工程の後、第1の窒化物半導体の第1の表面及び第2の表面に第2の窒化物半導体を成長させる工程とを具備してなることを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01S 5/323 610
Fターム (51件)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045EE14 ,  5F045HA16 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB20 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
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