特許
J-GLOBAL ID：200903051448318400

III族窒化物系化合物半導体及びその製造方法

発明者：
手銭 雄太

手銭 雄太 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071350
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267242
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：
【要約】【課題】貫通転位の少ない領域を有するIII族窒化物系化合物半導体を提供すること。【解決手段】サファイア基板1を幅10μm、間隔10μm、深さ10μmのストライプ状にエッチングする。次にAlNのバッファ層2を約40nmの厚さに基板1の段差の主に上段面と底面に形成する。次に、縦及び横方向エピタキシャル成長によりGaN層3を形成する。この時、主に段差の上段面に形成されたバッファ層21からの横方向エピタキシャル成長により段差が覆われ、表面が平坦となる。GaN層3の、基板1の深さ10μmの段差の底面上方に形成された部分は、段差の上段面上方に形成された部分に比して貫通転位が著しく抑えられる。
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物系化合物半導体を成長させるIII族窒化物系化合物半導体の製造方法において、前記基板表面の少なくとも一部を削り、前記基板面に段差を設ける工程と、前記基板の、削られなかった表面に点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成された上面を核として、所望のIII族窒化物系化合物半導体を、前記基板の段差の下段上方をも覆うよう、縦及び横方向エピタキシャル成長させる工程とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
Fターム (39件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA02 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM