特許

J-GLOBAL ID：200903078363890711

メッキを用いた金属配線形成方法及びそれにより製造された半導体素子

発明者： 李 種 元 ,  尹 普 彦 ,  李 根 澤 ,  河 商 ▲ろく▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-280372
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144181
出願日： 2000年09月14日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】 化学機械的研磨工程の研磨量を減らして半導体素子の生産性及び信頼性を向上させうるメッキを用いた金属配線形成方法及びそれにより製造された半導体素子を提供する。【解決手段】 本発明の金属配線形成方法は、基板上に形成された絶縁層に金属配線層が形成される部分にリセス領域を形成し、基板の全面に拡散防止層を形成した後、リセス領域内の拡散防止層上のみにメッキのためのシード層を、化学機械的研磨工程またはエッチバック工程を用いて形成する。前記シード層が形成されたリセス領域内のみに導電性のメッキ層を形成した後、表面平坦化工程を行ってリセス領域内に金属配線層を形成する。またリセス領域内の底のみにシード層を形成した後メッキ層を形成する場合もある。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁層にリセス領域を形成する段階と、リセス領域が形成された前記結果物の全面に拡散防止層を形成する段階と、前記リセス領域内の拡散防止層上のみにメッキのためのシード層を形成する段階と、メッキにより前記シード層上に導電性のメッキ層を形成する段階とを含むことを特徴とするメッキを用いた金属配線形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  C23C 18/16 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/3205

FI (5件)：

C23C 18/16 B ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-299937   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-351285   出願人：日本電気株式会社
• 電気めっき充填を改善する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-305522   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド