特許
J-GLOBAL ID：200903078370949535
半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-056701
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291667
出願日： 2001年03月01日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 格子欠陥の少ないヘテロ接合構造半導体素子を提供する。【解決手段】 基板1と基板1上に成長する結晶層4を含むヘテロ接合構造を有し、基板1と結晶層4の間に量子点バッファ層3が存在されているので基板1と結晶層3の格子不整合を効果的に解消する。これにより、電気光学的な特性に優れた半導体素子を得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に成長する結晶層を含むヘテロ接合構造の半導体素子において、前記基板と前記結晶層の間に量子点バッファ層が存在することを特徴とする量子点バッファ層を有する半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, C30B 29/38
, C30B 29/40 502
H01L 21/20
, C30B 29/38 D
, C30B 29/40 502 H
