CMOSアプリケーション用の多重高κゲート誘電体を堆積する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-275027
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153238
出願日： 2003年07月15日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：

【課題】低κ界面層を形成することなく、H終端シリコン上に高κ誘電材料の層を形成すること。【解決手段】集積回路において、高κ誘電材料の層を形成する方法は、シリコン基板を準備する工程と、硝酸金属前駆物質を用いるALDを用いて第1の金属酸化物の層を堆積する工程と、塩化金属前駆物質を用いるALDを用いて他の金属酸化物の層を堆積する工程と、集積回路を完成させる工程とを含む。準備する工程は、シリコン基板のH終端表面を形成する工程を含んでもよい。形成する工程は、シリコン表面をHFにより露出させる工程を含んでもよい。第1の金属酸化物の層を堆積する工程は、1〜5回のALDサイクルを用いて、金属酸化物の層を堆積する工程を含んでもよい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

集積回路において高κ誘電材料の層を形成する方法であって、シリコン基板を準備する工程と、硝酸金属前駆物質を用いるALDを用いて第1の金属酸化物の層を堆積する工程と、塩化金属前駆物質を用いるALDを用いて他の金属酸化物の層を堆積する工程と、該集積回路を完成させる工程とを包含する、方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 , H01L21/283 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X , H01L21/283 B , H01L29/78 301G

Fターム (25件)：

4M104AA01 , 4M104CC05 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE16 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F058BA01 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF19 , 5F058BF22 , 5F058BF24 , 5F058BJ01 , 5F140AA39 , 5F140BD01 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE01 , 5F140BE03 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BE13 , 5F140CB01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特許第6420279号
原子層堆積法を用いて基板上に高誘電率材料を堆積する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-180523 出願人：シャープ株式会社
オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-200829 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

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