特許
J-GLOBAL ID：200903078390140643

レベル変換回路及び液晶表示装置並びに投写型表示装置

発明者：
胡桃澤 孝

胡桃澤 孝 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001848
公開番号（公開出願番号）：特開2002-207457
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、応答速度を速くすることができ、消費電力を低減することのできるレベル変換回路及び液晶表示装置並びに投写型表示装置を提供する。【解決手段】 第1、第2の入力信号の電圧振幅を第1の電圧から第2の電圧へと変換させる高耐圧の素子を用いたレベル変換回路である。第1、第2の入力信号をドレイン端子より入力して、オンオフされる第1、第2のスイッチング素子を有する。第1のスイッチング素子と電源との間に接続され、第1のスイッチング素子との間に出力端子を形成せしめる第3のスイッチング素子を有する。第2のスイッチング素子と電源との間に接続されゲート電極が第3のスイッチング素子のゲート電極と接続される第4のスイッチング素子を有する。第2及び第4のスイッチング素子のいずれか一方又は双方に対し、自身でバイアス電圧を印加してオンオフ駆動する自己バイアス印加手段を有する。
請求項（抜粋）：
入力端子より入力される入力信号の電圧振幅を第1の電圧から第2の電圧へと変換させる高耐圧の素子を用いたレベル変換回路であって、回路内部の少なくとも一つのスイッチング素子に対して、自身でバイアス電圧を印加して前記スイッチング素子をオンオフ駆動する自己バイアス印加手段を設けたことを特徴とするレベル変換回路。
IPC (6件)：
G09G 3/36 ,  G02F 1/133 520 ,  G09G 3/20 611 ,  G09G 3/20 612 ,  G09G 3/20 621 ,  G09G 3/20 680
FI (6件)：
G09G 3/36 ,  G02F 1/133 520 ,  G09G 3/20 611 A ,  G09G 3/20 612 D ,  G09G 3/20 621 F ,  G09G 3/20 680 C
Fターム (25件)：
2H093NC03 ,  2H093ND32 ,  2H093ND39 ,  2H093NG02 ,  5C006AF69 ,  5C006AF75 ,  5C006BB11 ,  5C006BC20 ,  5C006BF27 ,  5C006BF33 ,  5C006BF34 ,  5C006BF46 ,  5C006EC11 ,  5C006FA13 ,  5C006FA47 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080CC10 ,  5C080DD08 ,  5C080DD26 ,  5C080FF07 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5C080JJ05
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM