特許

J-GLOBAL ID：200903078443337690

常圧プラズマエッチング用ガス供給方法および供給装置

発明者： 野上 光秀 ,  真弓 聡
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151198
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011827
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】エッチングすべき酸化シリコンを確実に選択的にしかも高エッチングレートでエッチングできる常圧プラズマエッチング用ガス供給装置を提供する。【解決手段】供給源11,13からのCF4(ハロゲン系ガス)を含む処理ガスを路25に通すとともに、添加手段20の液体貯留部22で気化させた水蒸気を添加量制御部23および添加路26を経て、路25の処理ガスに添加する。添加量制御部23によって、水蒸気の添加量が、処理ガスの0.5〜2.5vol%になるように調節する。水蒸気添加後の処理ガスを常圧プラズマエッチング装置30へ供給する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

エッチングされるべき酸化シリコンとエッチングされるべきでない金属とを有する被処理物のための常圧プラズマエッチング装置へのガス供給方法であって、 ハロゲン系の主ガスを含む処理ガスに対し、水又は水酸基含有化合物を気相で0.5〜2.5vol%添加し、この添加後の処理ガスを上記常圧プラズマエッチング装置へ供給することを特徴とする常圧プラズマエッチング用ガス供給方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 101E

Fターム (8件)：

5F004AA05 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317025   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開平2-190473
  
• 半導体装置の製造方法と製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049547   出願人：富士通株式会社
• シリコン系物質の選択エッチング方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-104245   出願人：セイコーエプソン株式会社