半導体レーザ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-256240
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107367
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】電流狭窄層を有する平坦化埋込みレーザ(SIPBH レーザ)に関し、活性層を含むメサ部直上部のp型クラッド層のZn濃度の低下を抑制して電流狭窄構造部を流れるリーク電流を低減する。【解決手段】(100)面を有する半導体基板1と、半導体基板1上に形成された活性層を含む活性層メサ領域101と、活性層メサ領域101を挟む電流狭窄領域102a、102bと、両方の領域を被覆するクラッド層9とを有する半導体レーザにおいて、電流狭窄領域102a、102bの最上層のn型電流阻止層8a,8bの側壁は(111)B面を有し、側壁の間のクラッド層9はZn濃度5×1017cm-3以上を含有するInP層からなる。

請求項（抜粋）：

(100)面を有する半導体基板と、該半導体基板上に形成された活性層を含む活性層メサ領域と、該活性層メサ領域を挟む電流狭窄領域と、前記両方の領域を被覆するクラッド層とを有する半導体レーザにおいて、前記電流狭窄領域の最上層のn型電流阻止層の側壁は(111)B面を有し、該側壁の間のクラッド層はZn濃度5×1017cm-3以上を含有するInP層からなることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-061017 出願人：富士通株式会社
特開平1-189185
特開平1-218083

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