特許
J-GLOBAL ID：200903078486614344

半導体装置およびその製造方法

発明者：
津村 一道

津村 一道 について

, 
柴田 英毅

柴田 英毅 について

, 
山田 雅基

山田 雅基 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232387
公開番号（公開出願番号）：特開2007-048974
出願日： 2005年08月10日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、空洞15中に設けられCuを主成分とする配線層22-1と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜17中に設けられCuを主成分とするビア層23-1とを備えた空中配線W1と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜11-2と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜(MnxSiyOz膜)25-1とを具備する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
空洞中に設けられCuを主成分とする配線層と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜中に設けられCuを主成分とするビア層とを備えた空中配線と、 前記空中配線上に設けられたポーラス膜と、 前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜とを具備すること を特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52
FI (2件)：
H01L21/90 N ,  H01L21/88 M
Fターム (33件)：
5F033HH11 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ35 ,  5F033MM05 ,  5F033MM11 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ69 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033RR30 ,  5F033SS11 ,  5F033XX13 ,  5F033XX20 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)

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