特許
J-GLOBAL ID：200903078509756176
半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電気光学装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-194733
公開番号（公開出願番号）：特開2008-020849
出願日： 2006年07月14日
公開日（公表日）： 2008年01月31日
要約：
【課題】フレキシブル基板上に駆動能力の高いTFTと、可撓性に優れた有機TFTとが形成された半導体装置を製造するにあたって、有機半導体層の劣化を極力抑える。【解決手段】半導体装置10の製造に際して、予め暫定基板に形成した駆動回路50a、50bをフレキシブル基板20の表面に転写し、その後に、有機半導体層を液相プロセスで形成して有機TFT10aを形成する半導体装置の製造方法。【選択図】図1a
請求項（抜粋）：
有機半導体層を備えてなるスイッチング素子と、該スイッチング素子に電気的に接続された駆動回路とを、フレキシブル基板表面に備えた半導体装置の製造方法であって、
予め暫定基板に前記駆動回路を形成した後、前記駆動回路を前記フレキシブル基板表面に転写し、次いで前記有機半導体層を液相プロセスにて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
G02F 1/167
, H01L 29/786
, H01L 51/05
G02F1/167
, H01L29/78 618B
, H01L29/28 100A
5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD13
, 5F110EE02
, 5F110EE41
, 5F110FF01
, 5F110FF21
, 5F110GG01
, 5F110GG05
, 5F110GG41
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK31
, 5F110NN72
