特許
J-GLOBAL ID:200903053908826037
有機半導体トランジスタ素子、これを用いた半導体装置および該半導体装置の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-332252
公開番号(公開出願番号):特開2005-175456
出願日: 2004年11月16日
公開日(公表日): 2005年06月30日
要約:
【課題】溶剤や樹脂に対する溶解性及び相溶性に優れ、高いキャリア移動度を有する芳香族三級アミンを含有する高分子化合物を用い、動作速度が速く、且つ、製造が容易な有機半導体トランジスタ素子を提供すること。【解決手段】 ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極と、を少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、前記有機半導体が、少なくとも1種以上の芳香族三級アミンを含有する高分子化合物を含むことを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極と、を少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、
前記有機半導体が、少なくとも1種以上の芳香族三級アミンを含有する高分子化合物を含むことを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。
IPC (5件):
H01L51/00
, C08G63/685
, H01L21/336
, H01L29/786
, H01L29/80
FI (7件):
H01L29/28
, C08G63/685
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 626C
, H01L29/78 618A
, H01L29/78 616V
, H01L29/80 V
Fターム (71件):
4J029AA03
, 4J029AB01
, 4J029AC01
, 4J029AD01
, 4J029AE18
, 4J029BA03
, 4J029BA05
, 4J029BA10
, 4J029BD03A
, 4J029BD04A
, 4J029BD07A
, 4J029BF09
, 4J029CA01
, 4J029CB05A
, 4J029CB06A
, 4J029CB10A
, 4J029CF08
, 4J029CF11
, 4J029CH01
, 4J029DA09
, 4J029HA01
, 4J029HB01
, 5F102FB01
, 5F102GB04
, 5F102GC08
, 5F102GD10
, 5F102GJ10
, 5F102GL01
, 5F102GR09
, 5F102GR11
, 5F102GR17
, 5F102GS03
, 5F102GV05
, 5F110AA01
, 5F110AA16
, 5F110BB02
, 5F110CC03
, 5F110CC10
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD05
, 5F110DD06
, 5F110EE02
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF28
, 5F110GG05
, 5F110GG06
, 5F110GG24
, 5F110GG28
, 5F110GG42
, 5F110HK01
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK17
, 5F110HK32
, 5F110HK33
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN34
, 5F110NN35
, 5F110QQ06
, 5F110QQ14
引用特許:
出願人引用 (16件)
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審査官引用 (7件)
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引用文献:
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