特許
J-GLOBAL ID：200903078518810779
不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051358
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233654
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：
【要約】【課題】 トンネル酸化膜28を帯電現象から保護する回路を備えた不揮発性半導体記憶装置において、その回路に電荷が加えられ続けても、その機能が低下しない回路を提供することである。【解決手段】 この回路は、N+型拡散層16とP型ウェル14とで構成される第1の接合ダイオード18と、P型ウェル14とN型ウェル12とで構成される第2の接合ダイオード20からなる回路である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にフローティングゲートとコントロールゲートとを備えた記憶素子を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記コントロールゲートに正電圧が印加されたとき、逆方向電圧が印加され、かつ前記コントロールゲートに印加される書き込み電圧、読み出し電圧及び消去電圧のいずれよりも大きな正電圧が前記コントロールゲートに印加されたとき、逆方向電流を導通する第1の接合ダイオードと、前記第1の接合ダイオードと電気的に接続され、前記コントロールゲートに負電圧が印加されたとき、逆方向電圧が印加され、かつ前記コントロールゲートに印加される書き込み電圧、読み出し電圧及び消去電圧のいずれよりも、絶対値が大きな負電圧が前記コントロールゲートに印加されたとき、逆方向電流を導通する第2の接合ダイオードと、を備え、前記第1の接合ダイオードと前記第2の接合ダイオードとからなる回路は、前記コントロールゲートと電気的に接続されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
