ポジティブ型フォトレジスト膜の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260443
公開番号（公開出願番号）：特開2001-104867
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：

【要約】【課題】感光速度、残膜率などが優れたフォトレジスト膜を製造することができるだけでなく、工程時間を短縮することができ、悪臭の発生を抑制することにより作業環境を良好なものに維持することができるフォトレジスト膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成された絶縁膜または導電性金属膜に、高分子樹脂、露光によってフォトレジスト膜の溶解度を変化させる感光性化合物及び溶媒を含むポジティブ型フォトレジスト組成物を滴下し、基板が静止の状態から1250〜1350rpmの速度で回転するように4.2秒〜4.8秒間加速してフォトレジスト組成物をコーティングする工程、コーティングされた組成物を乾燥する工程、乾燥した組成物を露光する工程及びアルカリ現像液を用いて露光部位の組成物を除去する工程を含む。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜または導電性金属膜に、高分子樹脂、露光によってフォトレジスト膜の溶解度を変化させる感光性化合物及び溶媒を含むポジティブ型フォトレジスト組成物を滴下し、前記基板が静止の状態から1250〜1350rpmの速度で回転するように4.2秒〜4.8秒間加速してフォトレジスト組成物をコーティングする工程と、前記コーティングされた組成物を乾燥する工程と、乾燥した組成物を露光する工程と、アルカリ現像液を用いて露光部位の組成物を除去する工程と、を含むポジティブ型フォトレジスト膜の製造方法。

IPC (5件)：

B05D 1/40 , G03F 7/004 501 , G03F 7/022 , G03F 7/16 502 , H01L 21/027

FI (5件)：

B05D 1/40 A , G03F 7/004 501 , G03F 7/022 , G03F 7/16 502 , H01L 21/30 564 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

ポジ型フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-052008 出願人：富士写真フイルム株式会社
回転塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-000061 出願人：凸版印刷株式会社
塗布膜形成方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-083206 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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