特許
J-GLOBAL ID:200903078544638917

ブラスト加工用マスキングパターンの形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 綿貫 達雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-332307
公開番号(公開出願番号):特開2002-139848
出願日: 2000年10月31日
公開日(公表日): 2002年05月17日
要約:
【要約】【課題】 基板の表面に形成したフォトレジスト膜の厚みが15μmを超えるような厚膜であっても、微細で高精細なマスキングパターンを形成することができるマスキングパターンの形成方法を提供する。【解決手段】 基板の表面に形成したフォトレジスト厚膜をフォトマスクを介して露光した後、ノズルから圧縮ガスとともに噴射される現像液をもって現像する。
請求項(抜粋):
基板の表面に形成したフォトレジスト厚膜をフォトマスクを介して露光した後、ノズルから圧縮ガスとともに噴射される現像液をもって現像することを特徴とするブラスト加工用マスキングパターンの形成方法。
IPC (3件):
G03F 7/30 ,  G03F 7/004 512 ,  H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/30 ,  G03F 7/004 512 ,  H01L 21/30 569 A
Fターム (18件):
2H025AB11 ,  2H025AB17 ,  2H025AB20 ,  2H025AC01 ,  2H025AD01 ,  2H025FA03 ,  2H025FA15 ,  2H025FA42 ,  2H096AA27 ,  2H096AA30 ,  2H096BA01 ,  2H096EA02 ,  2H096GA01 ,  2H096GA02 ,  2H096GA21 ,  5F046JA27 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19
引用特許:
審査官引用 (4件)
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