特許
J-GLOBAL ID:200903078560064505
半導体集積回路装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-215350
公開番号(公開出願番号):特開2001-043695
出願日: 1999年07月29日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 高集積化の要求を満たしつつ、高集積化に伴った動作速度の低下を抑制することが可能な半導体集積回路装置を提供すること。【解決手段】 第1の部分5A、および第2の部分5B-1に分割された、アドレス信号線と、第1の部分5Aと第2の部分5B-1との間に設けられた、第1の部分5Aのアドレス信号のロジックを反転させて第2の部分5B-1に伝える中継器4-1と、第1の部分5Aのアドレス信号が供給される救済回路2A-1と、第2の部分5B-1のアドレス信号が供給される救済回路2B-1とを具備する。また、救済回路2B-1は救済回路2A-1と異なる構成を持ち、逆のロジックでアドレス信号を処理する。
請求項(抜粋):
少なくとも2つの第1の部分、および第2の部分に分割された信号線と、前記信号線の第1の部分と前記信号線の第2の部分との間に設けられ、前記第1の部分に伝わる情報を、そのロジックを反転させて前記第2の部分に伝える中継器と、前記信号線の第1の部分に伝わる情報が供給される第1の情報処理回路と、前記信号線の第2の部分に伝わる情報が供給され、前記第1の情報処理回路と異なる構成を持ち、前記第1の情報処理回路と逆のロジックで前記情報を処理する第2の情報処理回路とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件):
G11C 29/00 603
, G11C 11/401
FI (2件):
G11C 29/00 603 Z
, G11C 11/34 371 D
Fターム (12件):
5B024AA15
, 5B024BA15
, 5B024BA18
, 5B024BA29
, 5B024CA07
, 5B024CA17
, 5L106AA01
, 5L106CC04
, 5L106CC07
, 5L106CC12
, 5L106CC13
, 5L106CC17
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-110477
出願人:株式会社日立製作所
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-112579
出願人:株式会社東芝
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記憶装置の修復機構
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-066196
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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