特許
J-GLOBAL ID：200903078573038244

半導体装置およびその作製方法

発明者：
大谷 久

大谷 久 について

, 
仲沢 美佐子

仲沢 美佐子 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-119055
公開番号（公開出願番号）：特開平11-311805
出願日： 1998年04月28日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：
【要約】【課題】 二組の透明導電膜を用いた補助容量を有する電気光学装置を改善し、高品質な半導体装置を提供する。【解決手段】 平坦化膜103の上に第1透明導電膜104と容量用絶縁膜105とを積層形成し、開口部106を形成する。その上に絶縁膜107を形成し、第2透明導電膜をパターニングすることにより画素電極108を形成する。この時、第1透明導電膜104と画素電極108とで容量用絶縁膜105を挟み込んだ構造からなる補助容量109が形成される。
請求項（抜粋）：
マトリクス状に配置された複数の画素と該複数の画素の各々に設けられた補助容量とを有する半導体装置において、前記補助容量は第1透明導電膜、容量用絶縁膜及び第2透明導電膜を順次積層した構造を有し、前記第1透明導電膜と前記容量用絶縁膜とは同一のパターン形状を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 619 B
引用特許：
審査官引用 (10件)
  • 特開平2-100024
  • 薄膜トランジスタアレイ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-270863   出願人：三菱電機株式会社
  • 液晶表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-296894   出願人：三洋電機株式会社
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