特許

J-GLOBAL ID：200903078616556856

薄膜形成装置の成膜、セルフクリーニング方法および薄膜形成装置

発明者： 石田 有親
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265202
公開番号（公開出願番号）：特開2001-089859
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月03日
要約：

【要約】【課題】セルフクリーニングに要する時間を短縮でき、生産性の向上を図ることができる薄膜形成装置の成膜、セルフクリーニング方法、および薄膜形成装置を提供する【解決手段】被成膜部材に所望の第1膜を形成する前に、薄膜形成装置の反応室内に設けられた被成膜部材以外の部材の外面および反応室の内面に、第1膜よりもエッチング速度の高い第2膜を形成した後、反応室内に被成膜部材を配置し、第1膜を形成する。そして、第1膜の形成された被成膜部材を反応室から搬出した後、反応室内にエッチング性のガスまたはラジカルを導入し、被成膜部材以外の部材の外面および反応室の内面に積層形成された第2膜および第1膜をエッチングにより除去し、セルフクリーニングを行う。

請求項（抜粋）：

真空容器の反応室内で被成膜部材に所望の第1膜を成膜する薄膜形成装置の成膜、セルフクリーニング方法において、上記反応室内に上記被成膜部材を配置する前に、上記反応室内で、この反応室内に設けられた被成膜部材以外の部材の外面および反応室の内面に、上記第1膜よりもエッチング速度の高い第2膜を形成し、上記第2膜の形成後、上記反応室内に上記被成膜部材を配置し、上記被成膜部材上、並びに、上記被成膜部材以外の部材の外面および反応室の内面に、上記第1膜を形成し、上記反応室から上記第1膜の形成された被成膜部材を搬出した後、エッチング性ガスまたはラジカルにより、上記被成膜部材以外の部材の外面および反応室の内面に形成された第2膜および第1膜にエッチングしてセルフクリーニングすることを特徴とする薄膜形成装置の成膜、セルフクリーニング方法。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/44 J ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 N

Fターム (45件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030DA06 ,  4K030DA08 ,  4K030FA01 ,  4K030KA23 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  5F004AA13 ,  5F004AA15 ,  5F004BA04 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004CA01 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DB07 ,  5F004EB08 ,  5F045AA08 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045EB05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB08 ,  5F045EC05 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F045EM09 ,  5F045EN04 ,  5F045HA13

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-189768   出願人：富士通株式会社
• CVD装置のプラズマ・クリーニング後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-090275   出願人：株式会社東芝
• プラズマCVD装置およびそのクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033877   出願人：日本電気株式会社