特許
J-GLOBAL ID：200903078625526374

パターン形成方法および電子素子の製造方法

発明者：
野元 章裕

野元 章裕 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-104422
公開番号（公開出願番号）：特開2008-263045
出願日： 2007年04月12日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】第1版上に溶媒を含まない均一な膜厚の薄膜を形成することが可能なパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供する。【解決手段】PVD法、CVD法またはESD法により、第1版10上に有機半導体膜Aを形成する工程と、表面側に凹凸パターンを有する第2版20を、第1版10の有機半導体膜Aの形成面側に押圧し、第2版20の凸部20aの頂面に、有機半導体膜Aの不要なパターンを転写して除去することで、第1版10上に有機半導体パターンA’を形成する工程と、第1版10の有機半導体パターンA’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に有機半導体パターンA’を転写する工程とを有するパターン形成方法および電子素子の製造方法である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
物理的気相成長法、化学的気相成長法またはエレクトロスプレーデポジション法により、第1版上に薄膜を形成する第1工程と、 表面側に凹凸パターンを有する第2版を、前記第1版の前記薄膜の形成面側に押圧し、当該第2版の凸部の頂面に、前記薄膜の第1のパターンを転写して除去することで、前記第1版上に前記第1のパターンを反転させた第2のパターンを形成する第2工程と、 前記第1版の前記第2のパターンの形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記第2のパターンを転写する第3工程とを有する ことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (7件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/027 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (9件)：
H01L29/78 618A ,  H01L21/30 502D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310J ,  H01L21/28 Z ,  H01L29/50 M
Fターム (34件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD31 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH09 ,  5F046AA28 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 画像形成法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-217286   出願人：光村印刷株式会社
審査官引用 (5件)
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