半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-211614
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067390
出願日： 2006年08月03日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】有機半導体層を用いた半導体装置の電気的特性を向上させる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供する。【解決手段】撥水性を有するスタンプ版30の撥水面30aに有機半導体材料の含有液を塗布することで、有機半導体層20を形成する第1工程と、有機半導体層20を乾燥させることで、撥水面30aに接した状態で、有機半導体層20を構成する有機半導体材料を結晶化する第2工程と、スタンプ版30における有機半導体層20の形成面側を被転写基板10の表面13aに押圧することで、被転写基板10の表面13aに有機半導体層20を転写する第3工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

撥水性を有するスタンプ版の撥水面に有機半導体材料の含有液を塗布することで、有機半導体層を形成する第1工程と、前記有機半導体層を乾燥させることで、前記撥水面に接した状態で、当該有機半導体層を構成する前記有機半導体材料を結晶化する第2工程と、前記スタンプ版における結晶化した前記有機半導体層の形成面側を被転写基板の表面に押圧することで、当該被転写基板の表面に前記有機半導体層を転写する第3工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40

FI (4件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J

Fターム (17件)：

5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110EE03 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG05 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21

引用特許：

審査官引用 (13件)

大きな有機半導体結晶を有するデバイスおよび該デバイスを作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-196149 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
画像形成法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-217286 出願人：光村印刷株式会社
有機薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-078396 出願人：株式会社東芝

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