特許
J-GLOBAL ID：200903078630671188

連続した膜を使用する集積されたMIS光電性デバイス

発明者：
ライト、マイケル、ディーン

ライト、マイケル、ディーン について


出願人/特許権者：
バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド

バリアン・メディカル・システムズ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 竹内 澄夫 ,  堀 明▲ひこ▼
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-519304
公開番号（公開出願番号）：特表2008-505496
出願日： 2005年06月23日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【解決手段】集積された光電性デバイスは、半導体材料の一つ以上の実質的に連続した層で構成されるメサ孤立半導体(MIS)フォトダイオード14、および誘電性材料の実質的に連続した層を有する。
請求項（抜粋）：
集積された光電性デバイスを含む装置であって、 基板と、 金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードであて、そのフォトダイオードの少なくとも一部が前記基板の上に位置する金属・絶縁体半導体(MIS)フォトダイオードと、 を含み、 前記MISフォトダイオードは、 第一および第二の電極と、 一つ以上の誘電性層であって、少なくとも一つの誘電性層の少なくとも一部分が前記第一と第二の電極の間に位置するところの誘電性層と、 一つ以上の半導体であって、少なくとも一つの半導体の少なくとも一部分が前記一つ以上の誘電性層の一つと前記第一および第二の電極のうちの一つとの間に位置するところの半導体と、 前記第一および第二の電極のうちの一つと隣接する第三の電極と、 を有し、 前記一つ以上の誘電性層の一部分の少なくとも一つが誘電性材料の実質的に連続した層をもち、 前記一つ以上の半導体の一部分の少なくとも一つが半導体材料の実質的に連続した層をもつ、 ことを特徴とする装置。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/786
FI (3件)：
H01L27/14 C ,  H01L31/10 E ,  H01L29/78 613Z
Fターム (23件)：
4M118BA05 ,  4M118CA07 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB23 ,  4M118FB25 ,  5F049MA04 ,  5F049MA15 ,  5F049MB05 ,  5F049SE04 ,  5F110AA04 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG26 ,  5F110GG35 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110NN65 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72
引用特許：
審査官引用 (4件)
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