研磨パッド

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-162375
公開番号（公開出願番号）：特開2000-343413
出願日： 1999年06月09日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：

【要約】【課題】研磨層(研磨部分)の硬度が高く、ウェハー面への研磨パッドの追随性に優れているので、平坦性に優れ、ウェハー面内均一性に優れた半導体基板の研磨が可能な研磨パッドを提供する。【解決手段】多数の互いが物理的に隔離されている島状研磨部分のマイクロゴムA硬度が70度以上でそれらすべてと隣接するクッション層のマイクロゴムA硬度より10度以上高く、かつ互いが物理的に隔離されている島状研磨部分はクッション層で構成される実質的同一の高分子を少なくとも30重量%以上と他の高分子を含有することを特徴とする研磨パッド。

請求項（抜粋）：

隣接する2つの層を少なくとも有する研磨パッドであって、研磨面である第一層のマイクロゴムA硬度が70度以上であり、第二層のマイクロゴムA硬度より10度以上高く、かつ第一層は第二層を構成するものと実質的同一の高分子と他の高分子とを含有することを特徴とする研磨パッド。

IPC (9件)：

B24B 37/00 , B32B 5/18 101 , B32B 25/04 , B32B 25/14 , B32B 27/40 , C08F 2/00 , C08J 9/36 CFF , H01L 21/304 622 , C08L 75:04

FI (8件)：

B24B 37/00 C , B32B 5/18 101 , B32B 25/04 , B32B 25/14 , B32B 27/40 , C08F 2/00 C , C08J 9/36 CFF , H01L 21/304 622 F

Fターム (49件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058CB01 , 3C058CB10 , 3C058DA17 , 4F074AA78 , 4F074CA21 , 4F074CE02 , 4F074CE14 , 4F074CE56 , 4F074CE98 , 4F074DA02 , 4F074DA03 , 4F074DA12 , 4F074DA16 , 4F074DA20 , 4F074DA56 , 4F100AK01A , 4F100AK01B , 4F100AK02A , 4F100AK51B , 4F100AN00A , 4F100AN00B , 4F100AN02A , 4F100AN02B , 4F100AR00C , 4F100BA02 , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4F100BA26 , 4F100DJ02A , 4F100DJ02B , 4F100GB41 , 4F100GB90 , 4F100JK06 , 4F100JK12A , 4F100JK12B , 4F100JL11C , 4F100YY00 , 4F100YY00A , 4F100YY00B , 4J011CA01 , 4J011CA08 , 4J011CB00 , 4J011CC01 , 4J011CC04 , 4J011CC08

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の研磨装置及び研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-292420 出願人：日本電気株式会社
特開平2-088229
特開平2-220838

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