特許
J-GLOBAL ID：200903078651662960

半絶縁体の溶接方法及びその溶接装置

発明者：
長嶺 政隆

長嶺 政隆 について


出願人/特許権者：
ナグシステム株式会社

ナグシステム株式会社 について


代理人 (1件)： 中谷 武嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-295823
公開番号（公開出願番号）：特開2004-130331
出願日： 2002年10月09日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】爆飛を生ずることなく、化成膜6を有する半絶縁体3を安定して確実に溶接することを可能とした溶接方法を提供する。【解決手段】半絶縁体3と金属製導体4とを、一対の溶接電極1,2にて加圧する。次に、半絶縁体3の化成膜6を局部的に破るための高電圧第1パルスP1 を印加する。次に、第2パルスP2 を、微小休止時間後に、印加する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
金属表面に化成膜が被覆された半絶縁体と、金属製導体とを、一対の溶接電極にて加圧し、上記化成膜を局部的に破るための高電圧第1パルスを印加し、次に、微小休止時間後に本溶接するための高電圧第2パルスを印加して、上記導体を上記半絶縁体に溶接することを特徴とする半絶縁体の溶接方法。
IPC (1件)：
B23K11/16
FI (1件)：
B23K11/16 101
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (4件)
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