特許
J-GLOBAL ID：200903078667392483
有機電界発光表示装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
渡邊 隆
, 志賀 正武
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-038164
公開番号（公開出願番号）：特開2007-265972
出願日： 2007年02月19日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】レーザー熱転写法により有機膜層を形成する時、転写効率を極大化することができる有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】有機電界発光表示装置及びその製造方法を開示する。本発明は、平坦化膜内にトレンチを形成した後、前記トレンチ内に第1電極を形成することによって、前記平坦化膜と第1電極との段差を減少させる。すなわち。前記平坦化膜上に第1電極が突出することを最小化することによって、前記第1電極上に画素定義膜を形成する時、その厚さを減少させることができる。したがって、レーザー熱転写法により有機膜層を形成する時、転写効率を高めることができ、有機膜層の熱損傷及びオープン不良を防止することができ、素子の信頼性を高めることができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に位置し、且つ半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、
前記ソース電極及びドレイン電極を含む基板上に位置し、且つトレンチを含む平坦化膜と、
前記トレンチ内に位置し、且つ前記平坦化膜を貫通して前記ソース電極またはドレイン電極の一部を露出させるビアホールと、
前記ビアホールを介して前記ソース電極またはドレイン電極に連結され、且つ前記トレンチ内に形成される第1電極と、
前記第1電極上に位置し、且つ前記第1電極を露出させる開口部を含む画素定義膜と、
前記開口部内に位置し、且つ少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層を含む基板全面上に位置する第2電極と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
IPC (5件)：
H05B 33/22
, H01L 51/50
, H05B 33/12
, H05B 33/26
, H05B 33/10
H05B33/22 Z
, H05B33/14 A
, H05B33/12 B
, H05B33/26 Z
, H05B33/10
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC21
, 3K107CC45
, 3K107DD03
, 3K107DD22
, 3K107DD23
, 3K107DD24
, 3K107DD27
, 3K107DD28
, 3K107DD29
, 3K107DD44X
, 3K107DD44Y
, 3K107DD46X
, 3K107DD46Y
, 3K107DD89
, 3K107DD90
, 3K107DD95
, 3K107DD96
, 3K107EE03
, 3K107FF15
, 3K107GG06
, 3K107GG09
, 3K107GG12
, 3K107HH05
出願人引用 (2件)
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大韓民国特許出願公開第2005-0052291号明細書
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エレクトロルミネッセンス表示装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-341857
出願人：三洋電機株式会社
審査官引用 (3件)
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