特許
J-GLOBAL ID：200903097878817884

半導体装置

発明者：
石川 明

石川 明 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-313208
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203926
出願日： 2002年10月28日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】材料や形成されたパターンが異なる複数の層が積層された構造の半導体装置において、CMP法による研磨処理やSOG膜成膜による平坦化処理を行わなくても平坦化でき、さらに基板材料を選ばず、簡便に平坦化を行う方法を提供することを課題とする【解決手段】異なる層が複数積層されて形成された半導体装置において、絶縁膜に開口部を形成し、その開口部内に配線(電極)または半導体層を形成することにより、絶縁膜および配線(電極)または半導体層上に形成される絶縁膜に対してCMP法による研磨処理またはSOG膜の成膜による平坦化を行わなくても表面の平坦化を行うことができる。
請求項（抜粋）：
開口部を有する第1の絶縁膜と、前記開口部内部に形成された半導体層と、前記第1の絶縁膜及び前記半導体層を覆う第2の絶縁膜と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786
FI (5件)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 627 A ,  H01L 21/90 A
Fターム (162件)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA35 ,  2H092JA39 ,  2H092JA46 ,  2H092JB58 ,  2H092KA03 ,  2H092KA05 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA35 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  2H092RA10 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F033GG03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033KK04 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033XX01 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB01 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB05 ,  5F052DB07 ,  5F052EA11 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F110AA16 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE38 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ24 ,  5F110QQ25 ,  5F110QQ28
引用特許：
審査官引用 (8件)
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