特許
J-GLOBAL ID：200903078671563977
ハーフトーン位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199690
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050113
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 超微細なパターンの形成を必要とせず、露光時の像形成に悪影響を及ぼす光強度のサブピークを抑え、素子領域の外側の多重露光される領域での透過率を下げた遮光パターンを有するハーフトーン位相シフトマスク。【解決手段】 透明基板201上にハーフトーン位相シフト膜202を有し、透明基板201上のマスクの転写時の多重露光部に対応する領域に、ガス状の超微粒子を基板上に吹き付けることにより形成した超微粒子膜からなり露光光を遮光するパターン207が形成されている。
請求項（抜粋）：
透明基板上に単層又は2層以上の層からなるハーフトーン位相シフト膜を有するハーフトーン位相シフトマスクにおいて、透明基板上の一部の領域において、超微粒子膜からなり露光光を遮光するパターンが形成されていることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
